2. 산화공정

 

 

 

 

 

산화공정이란?

‘산화 공정’이란, 실리콘(Si) 기판 위에 산화제(물(H2O), 산소(O2))와 열에너지를 공급하여 이산화규소(SiO2) 막을 형성하는 공정을 말합니다. 

 

산화막은 소자 간의 격리, Gate Insulator, Mask Layer (Photo, Ion implantation) 등으로 사용 할 수 있습니다.

산화막을 만드는 방법으로는 Thermal Oxdation, CVD, PECVD 등이 있습니다.

 

산화공정에는 습식 산화, 건식 산화가 있습니다.

건식산화를 Dry Oxdation, 습식 산화를 Wet Oxdation 이라고 합니다.

습식산화는 O2와 함께 SO2 를 사용하고 건식산화는 O2만을 사용합니다.

동일한 시간, 온도로 산화공정을 진행했을 때 습식산화가 건식산화보다 더 두껍게 산화막이 생성되는것을 알 수 있습니다.

 

Wet Oxdaiton	Dry Oxdation
Si(s) + 2H20(g) -> SiO2(s) +2Hs(g)	Si(s) + O2(g) -> SiO2(s)
반응이 빠르고 두꺼움, 산화막의 질이 비교적 안좋음	반응이 느리고 얇음, 산화막의 질이 비교적 좋음