DRAM, SRAM

 

 

DRAM ( Dynamic Random Access Memory )

 

1개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 구성되어있어서 1T1C라고 부르기도 합니다 트랜지스터는 스위치 동작을 하며, 캐패시터는 High (1), Low (0) 의 상태를 저장합니다.

 

 

Word line 은 트랜지스터를 동작시키며, Bit line 을 통해 캐패시터의 상태를 정할 수 있습니다.

 

 

DRAM leakage current

 

 

DRAM의 MOS 구조 특성상 누설전류가 발생하기 때문에 주기적인 전압공급이 필요합니다

 

 

실린더, 트렌치 구조

 

DRAM의 캐패시터 구조로 트렌치, 실린더 형태가 있습니다. 트렌치 구조는 기판 밑으로 들어가며, 실리더 구조, 트렌치 구조 모두 좀 더  많은 면적을 얻기 위해 구불구불한 형태로 만들기도 합니다. 

 

SRAM ( Static Random Access Memory )

 

6개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 구성되어있어서 6T1C라고 부르기도 합니다  Dram 과 마찬가지로 트랜지스터는 스위치 동작을 하며 Hold의 기능을 할 수있습니다, 양단의 bitline과 bitline bar 로 Read, Write 동작을 합니다.  ex ) 양쪽을 High로 두어 전압차를 통해 Read , bitline, bitline bar 전압을 고정해 Write

 

 

SRAM에서는 DRAM 에서의 누설 전류를 막기 위해 Cross coupled Inverter를 사용합니다. 인버터를 통해 0 에서 1, 1에서 0에서 전압을 갱신함에 따라 Refresh가 필요없어집니다. 하지만 6T인 만큼 집적도가 떨어진다는 단점이 있어서 집적도가 높지 않고 빠른 메모리가 필요할 때 사용합니다.